由于晶闸管过载能力较差，短时间的过电压或过电流就可能导致其损坏。虽然选择晶闸管时要合理地选择元件参数并留有安全裕量，但仍需针对晶闸管的工作条件采取适当的保护措施，确保晶闸管装置正常运行。
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1、 过电压保护
过电压产生的原因主要是操作过电压、浪涌过电压。按过电压保护的部位来分，有交流侧保护、直流侧保护和元件保护等几部分，如图1所示。
1-避雷器;2-接地电容;3-交流侧阻容保护;4-整流式阻容保护;5-硒堆保护;
6-交流侧压敏电阻保护;7-直流侧阻容保护;8-直流侧压敏电阻保护
① 交流侧操作过电压保护：如图1中的环节3-阻容吸收保护。其中阻容吸收电路的接线方式如图2 所示。
(a)单相电路 (b)三相电路 (c)三相整流式阻容电路
图2 交流侧阻容保护的几种接法
②交流侧浪涌过电压保护：如图1中的环节5-硒堆(可多次使用)、6-压敏电阻(一次性使用)。
硒堆由成组串联的硒整流片构成。硒片击穿时，表面会烧出灼点，但浪涌电压过去之后，整个硒片自动恢复正常保护功能。硒堆体积大，长期放置不用会失效。
压敏电阻正常工作时，漏电流仅是微安级;当浪涌电压来到时，反应快，可通过数千安培的放电电流。因此，抑制过电压的能力强。加之它还有体积小、价格便宜等优点，是一种较理想的保护元件。保护接线方式如图3所示。压敏电阻的主要缺点是持续的平均功率太小(仅数瓦)，如果正常工作的电压超过它的额定电压，很短时间就会因过热而损坏，因此不宜应用于那些频繁出现过电压的场合。
③直流侧过电压保护
直流侧保护可采用与交流侧保护相同的方法，如图1 所示。对于容量较小的装置，可采用阻容保护抑制过电压;如果容量较大，应选择硒堆或压敏电阻保护。更多有关可控硅知识欢迎访问武整官网（http:www.techele.com）；