双向可控硅的原理是什么呢？
双向可控硅可以用门极和第一阳极之间的正向或负向电流触发。因而能在四个"象限"触发。
缺点：
（1）、高IGT需要高峰值IG。
（2）、由IG触发到负载电流开始流动，两者之间迟后时间较长;要求IG维持较长时间。
（3）、低得多的dit/dt承受能力;若控制负载具有高di/dt值（例如白炽灯的冷灯丝），门极可能发生强烈退化。
（4）、高IL值;对于很小的负载，若在电源半周起始点导通，可能需要较长时间的IG，才能让负载电流达到较高的IL。更多有关可控硅知识欢迎访问武整官网（www.techele.com）；
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