一、晶闸管高di/dt的意义
晶闸管的开通临界电流上升率，反映了器件的大电流迅速开通能力。提高晶闸管的临界电流上升率，对于用户使用有重要的意义。
(1)晶闸管的高di/dt，可以在许多场合省去了串联在晶闸管上的保护电感线圈，简化了整机设计，减小了设备成本。
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(2)在并联逆变工作线路中，晶闸管的高di/dt性能可使设计者减小晶闸管的换流时间，提高设备的工作频率。
(3)晶闸管的高di/dt性能可使它方便地应用于部分脉冲功率电源领域。
二、晶闸管工作于高di/dt时需注意事项
(1)晶闸管的di/dt承受能力与其芯片结温有直接关系，di/dt承受能力随着温度的上升会有明显的下降。因此用户在使用时必须保证器件的散热条件。要求在工作过程中，普通晶闸管：Tj≤125°C，高频、快速晶闸管：Tj≤115°C。
(2)晶闸管的di/dt承受能力实际反映了器件的电流快速开通能力，它受器件门极触发条件影响很大。采用上升率极陡的强触发脉冲，可以明显减小器件开通时间和开通损耗，增强器件di/dt承受能力。我们建议的触发脉冲要求为：
触发电流幅值：IGM=(4至10倍)IGT
触发电流上升时间：tr小于1μs
(3)晶闸管在承受过高的di/dt时，会在其芯片产生局部瞬时高温，这种局部瞬时高温在长期工作中会影响器件的工作寿命。因此，使用者在任何时候，都应保证di/dt不应超过器件生产厂家给出的规定值，并且留有一定裕量。
(4)晶闸管的di/dt与其开通损耗关系极大，晶闸管高di/dt应用于高频率场合时，需考虑开通损耗上升引起的结温上升，用户应考虑降低器件通过的通态电流或增强器件散热能力。
综上所述，增强器件局部瞬时浪涌时的温度承受能力，即晶闸管结温上升越小越好，就能大大提升器件的di/dt能力。要做到这一点，关键是散热器的瞬态热阻要小。更多有关可控硅知识欢迎访问武整官网（www.techele.com）
